三星详细介绍14400万像素图像传感器的14nm FinFET工艺

谈腾武
导读 三星发布全球首款1 08亿像素传感器后,开始认真对待移动成像业务。这家韩国科技巨头目前正准备推出1 44亿像素的图像传感器。在IEDM 2019

三星发布全球首款1.08亿像素传感器后,开始认真对待移动成像业务。这家韩国科技巨头目前正准备推出1.44亿像素的图像传感器。在IEDM 2019大会上,该公司展示了一种基于14纳米FinFET工艺的新技术。这项新技术将允许发射1.44亿像素的图像传感器。这是我们第一次听说用先进制造技术开发图像传感器。

三星解释说,图像传感器面临的挑战是它需要在相对较高的电压下工作,通常是2伏或更高。所有芯片组设计者的目标都是构建在尽可能低的电压下工作的传感器,以降低功耗和热量。三星通过采用新的14纳米FinFET工艺,成功降低了42%的功耗。440,000像素传感器以每秒10帧的速度捕捉图像,从而降低功耗。

“这项工作展示了新开发的14纳米FinFET工艺,具有2.xV高压finfet器件的特性,与28纳米平面工艺相比,具有出色的模拟和低功耗数字特性。在NMOS和PMOS的FinFET工艺中,Gm分别增加了30%和67%。

研究人员还注意到,当以每秒30到120帧的速度阅读1200万像素的视频时,可以节省高达37%的电力。这个公告并不意味着我们将获得1.44亿像素的图像传感器。事实上,该公司正在确认14纳米指的是放大像素信号的晶体管。它还使用内置于图像传感器中的模拟和数字处理硬件。三星正在寻找一种方法,为新一代图像传感器设计更高效的图像传感器。

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