机器人吸尘器经常绊倒不是特别高的门槛。电流流过的晶体管中存在类似的阈值电压。只要电压超过阈值电压，晶体管的输出阻抗就会急剧降低，电流容易流动，从而提高其性能。
最近，由 Yong-Young Noh 教授和博士领导的 POSTECH 研究团队。候选人 Huihui Zhu 和 Ao Liu(化学工程系)与 Samsung Display 合作开发了阈值电压为 0 V 的 p 沟道钙钛矿薄膜晶体管(TFT)。
尽管金属卤化物钙钛矿在各种光电子学中得到了发展，但由于离子迁移和大的有机间隔物隔离，采用最先进的钙钛矿通道的高性能晶体管的进展受到限制
在这项研究中，研究团队通过混合卤化物阴离子(碘-溴-氯)构建了甲基铵-锡-碘(MASnI 3)半导体层，以提高晶体管的稳定性。使用这种半导体层制成的器件表现出高性能和优异的稳定性，没有滞后现象。
在实验中，TFT实现了20cm 2 V -1 s -1的高空穴迁移率和1000万的开/关电流比，并且还达到了0 V的阈值电压。阈值电压为0的P沟道钙钛矿晶体管V是世界上第一个这样的案例。通过将材料制成溶液，研究人员还可以打印晶体管，从而降低其制造成本。
使用卤化物阴离子工程分析 MASnI 3薄膜 (a) TFT 表面图像 (b) X 射线衍射分析 (c) Cl 2p X 射线衍射分析 (d) 霍尔迁移率和空穴浓度。每种类型平均 5 个 TFT。学分：POSTECH
通过这项研究，研究小组证明了降低钙钛矿 TFT 性能的滞后的主要原因是少数载流子俘获，而不是离子迁移。通过降低阈值电压，电子和空穴的运动不受干扰，使电流顺畅流动。
此外，研究团队成功地将钙钛矿TFT与商业化的n沟道6铟镓锌氧化物(IGZO)TFT集成在一个芯片上，通过电路印刷的方法构建了高增益互补逆变器。
这项研究作为一种适用于OLED显示驱动电路、垂直堆叠器件的P沟道晶体管和用于人工智能计算的神经形态计算的技术，引起了学术界的关注。
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