大家好，关于背照式cmos与堆栈式cmos，背照式很多人还不知道，今天东东来为大家解答以上问题，现在让我们一起来看看吧！
1、 传统相机传感器的每一个像素都要匹配相应的A/D转换器和相应的放大电路，所以这部分电路会占用更多的像素面积，直接导致光电二极管的实际感光面积变小，感光能力减弱。CCD的单个像素不需要A/D转换器和放大电路，光电二极管可以获得更大的实际感光面积和更大的孔径比。所以在小尺寸图像传感器领域，目前CCD还是占据一定优势的，而在大尺寸图像传感器领域，由于单个像素面积较大，A/D转换器和放大电路所占面积只是整个像素的一小部分，影响不大，所以相机传感器也得到了广泛应用。
2、 相比之下，传统面照式相机传感器的光电二极管位于整个芯片的最底层，而A/D转换器和放大器电路位于光电二极管的上层，因此光电二极管距离镜头更远，光线更容易丢失。同时，这些布线层会阻挡从彩色滤光片到光电二极管的光路，直接导致感光度降低。背照式相机传感器解决了这个问题。
3、 背照式相机的优势
4、 传统CMOS传感器的每一个像素都要匹配相应的A/D转换器和相应的放大电路，所以这部分电路会占用更多的像素面积，直接导致光电二极管的实际感光面积变小，感光能力变弱。CCD的单个像素不需要A/D转换器和放大电路，光电二极管可以获得更大的实际感光面积和更大的孔径比。所以在小尺寸图像传感器领域，目前CCD还是占据一定优势的，而在大尺寸图像传感器领域，由于单个像素面积较大，A/D转换器和放大电路所占面积只是整个像素的一小部分，影响不大，所以CMOS传感器也得到了广泛应用。
5、 而Exmor R CMOS则将光电二极管放在图像传感器芯片的顶部，将A/D转换器和放大器电路移到图像传感器芯片的背面，而不是传统的CMOS传感器，其中A/D转换器和放大器电路位于光电二极管的顶部，并“阻挡”了一些光线。这样，通过微透镜和滤色器进入的光可以被光电二极管最大限度地利用，孔径比可以大大提高。即使小尺寸的图像传感器也可以获得极好的高灵敏度。
6、 相比之下，传统面照式CMOS传感器的光电二极管位于整个芯片的最底层，而A/D转换器和放大电路位于光电二极管的上层，因此光电二极管离镜头更远，光线更容易丢失。同时，这些布线层会阻挡从彩色滤光片到光电二极管的光路，直接导致感光度降低。exmor r背照式CMOS传感器解决了这个问题。
本文讲解结束，希望对你有所帮助。
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