导读 三星电子今天宣布，开始量产业界首款、採用第二代10纳米製程(1y纳米)等级的动态随机存取存储器晶片。需要注意的是，这里并不是10nm，预计是
三星电子今天宣布，开始量产业界首款、採用第二代10纳米製程(1y纳米)等级的动态随机存取存储器晶片。需要注意的是，这里并不是10nm，预计是1418纳米之间。
三星_ 1y-nm _ DDR 4 _ 1024 x768 a-1024 x768 . jpg(153.62 KB，下载次数： 0)
2017-12-20 15:27 上传
其中单晶片容量8Gb(1GB).相较1x-nmm，製程层面上，性能提升10%,功耗和封装面积减小，效能提升15%。同时频宽3600Mbps起（可以理解为DDR4-3600)，也比1x纳米时代的DDR-3200进步1纳米製程，三星没有引入EUV，而是通过加入高灵敏度的单元数据感测系统和减少气隙实现。
与此同时，三星表示也会进一步加快依赖动态随机存取存储器技术的DDR5、GDDR6、LPDDR5、HBM3等形态储存晶片的开发工作。目前AMD/英特尔已经验证通过1y纳米记忆体。当然对于普通消费者来说，此举还意味着1纳米以及更老的製程的记忆体成本和最终价格将有望下探。
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