ddr内存是什么意思(ddr内存)

管芬美
导读 大家好,乐天来为大家解答以下的问题,关于ddr内存是什么意思,ddr内存这个很多人还不知道,现在让我们一起来看看吧!1、这是我在网上找的

大家好,乐天来为大家解答以下的问题,关于ddr内存是什么意思,ddr内存这个很多人还不知道,现在让我们一起来看看吧!

1、这是我在网上找的 不太符合您的提问DDR时代 DDR SDRAM(Dual Date Rate SDRAM)简称DDR,也就是“双倍速率SDRAM“的意思。

2、DDR可以说是SDRAM的升级版本, DDR在时钟信号上升沿与下降沿各传输一次数据,这使得DDR的数据传输速度为传统SDRAM的两倍。

3、由于仅多采用了下降缘信号,因此并不会造成能耗增加。

4、至于定址与控制信号则与传统SDRAM相同,仅在时钟上升缘传输。

5、 DDR 内存是作为一种在性能与成本之间折中的解决方案,其目的是迅速建立起牢固的市场空间,继而一步步在频率上高歌猛进,最终弥补内存带宽上的不足。

6、第一代DDR200 规范并没有得到普及,第二代PC266 DDR SRAM(133MHz时钟×2倍数据传输=266MHz带宽)是由PC133 SDRAM内存所衍生出的,它将DDR 内存带向第一个高潮,目前还有不少赛扬和AMD K7处理器都在采用DDR266规格的内存,其后来的DDR333内存也属于一种过度,而DDR400内存成为目前的主流平台选配,双通道DDR400内存已经成为800FSB处理器搭配的基本标准,随后的DDR533 规范则成为超频用户的选择对象。

7、 DDR2时代 随着CPU 性能不断提高,我们对内存性能的要求也逐步升级。

8、不可否认,紧紧依高频率提升带宽的DDR迟早会力不从心,因此JEDEC 组织很早就开始酝酿DDR2 标准,加上LGA775接口的915/925以及最新的945等新平台开始对DDR2内存的支持,所以DDR2内存将开始演义内存领域的今天。

9、 DDR2 能够在100MHz 的发信频率基础上提供每插脚最少400MB/s 的带宽,而且其接口将运行于1.8V 电压上,从而进一步降低发热量,以便提高频率。

10、此外,DDR2 将融入CAS、OCD、ODT 等新性能指标和中断指令,提升内存带宽的利用率。

11、从JEDEC组织者阐述的DDR2标准来看,针对PC等市场的DDR2内存将拥有400、533、667MHz等不同的时钟频率。

12、高端的DDR2内存将拥有800、1000MHz两种频率。

13、DDR-II内存将采用200-、220-、240-针脚的FBGA封装形式。

14、最初的DDR2内存将采用0.13微米的生产工艺,内存颗粒的电压为1.8V,容量密度为512MB。

15、 内存技术在2005年将会毫无悬念,SDRAM为代表的静态内存在五年内不会普及。

16、QBM与RDRAM内存也难以挽回颓势,因此DDR与DDR2共存时代将是铁定的事实。

17、 PC-100的“接班人”除了PC一133以外,VCM(VirXual Channel Memory)也是很重 要的一员。

18、VCM即“虚拟通道存储器”,这也是目前大多数较新的芯片组支持的一种内存标准,VCM内存主要根据由NEC公司开发的一种“缓存式DRAM”技术制造而成,它集成了“通道缓存”,由高速寄存器进行配置和控制。

19、在实现高速数据传输的同时,VCM还维持着对传统SDRAM的高度兼容性,所以通常也把VCM内存称为VCM SDRAM。

20、VCM与SDRAM的差别在于不论是否经过CPU处理的数据,都可先交于VCM进行处理,而普通的SDRAM就只能处理经CPU处理以后的数据,所以VCM要比SDRAM处理数据的速度快20%以上。

21、目前可以支持VCM SDRAM的芯片组很多,包括:Intel的815E、VIA的694X等。

22、 3.RDRAM Intel在推出:PC-100后,由于技术的发展,PC-100内存的800MB/s带宽已经不能满足需求,而PC-133的带宽提高并不大(1064MB/s),同样不能满足日后的发展需求。

23、Intel为了达到独占市场的目的,与Rambus公司联合在PC市场推广Rambus DRAM(DirectRambus DRAM),如图4-3所示。

24、 Rambus DRAM是:Rambus公司最早提出的一种内存规格,采用了新一代高速简单内存架构,基于一种RISC(Reduced Instruction Set Computing,精简指令集计算机)理论,从而可以减少数据的复杂性,使得整个系统性能得到提高。

25、Rambus使用400MHz的16bit总线,在一个时钟周期内,可以在上升沿和下降沿的同时传输数据,这样它的实际速度就为400MHz×2=800MHz,理论带宽为(16bit×2×400MHz/8)1.6GB/s,相当于PC-100的两倍。

26、另外,Rambus也可以储存9bit字节,额外的一比特是属于保留比特,可能以后会作为:ECC(ErroI·Checking and Correction,错误检查修正)校验位。

27、Rambus的时钟可以高达400MHz,而且仅使用了30条铜线连接内存控制器和RIMM(Rambus In-line MemoryModules,Rambus内嵌式内存模块),减少铜线的长度和数量就可以降低数据传输中的电磁干扰,从而快速地提高内存的工作频率。

28、不过在高频率下,其发出的热量肯定会增加,因此第一款Rambus内存甚至需要自带散热风扇。

29、 DDR3时代 DDR3相比起DDR2有更高的工作电压, 从DDR2的1.8V降落到1.5V,性能更好更为省电;DDR2的4bit预读升级为8bit预读。

30、DDR3目前最高能够1600Mhz的速度,由于目前最为快速的DDR2内存速度已经提升到800Mhz/1066Mhz的速度,因而首批DDR3内存模组将会从1333Mhz的起跳。

31、在Computex大展我们看到多个内存厂商展出1333Mhz的DDR3模组。

32、 DDR3在DDR2基础上采用的新型设计: 1.8bit预取设计,而DDR2为4bit预取,这样DRAM内核的频率只有接口频率的1/8,DDR3-800的核心工作频率只有100MHz。

33、 2.采用点对点的拓朴架构,以减轻地址/命令与控制总线的负担。

34、 3.采用100nm以下的生产工艺,将工作电压从1.8V降至1.5V,增加异步重置(Reset)与ZQ校准功能。

35、 六、内存条种类之间的区别 DDR2与DDR的区别 与DDR相比,DDR2最主要的改进是在内存模块速度相同的情况下,可以提供相当于DDR内存两倍的带宽。

36、这主要是通过在每个设备上高效率使用两个DRAM核心来实现的。

37、作为对比,在每个设备上DDR内存只能够使用一个DRAM核心。

38、技术上讲,DDR2内存上仍然只有一个DRAM核心,但是它可以并行存取,在每次存取中处理4个数据而不是两个数据。

39、 与双倍速运行的数据缓冲相结合,DDR2内存实现了在每个时钟周期处理多达4bit的数据,比传统DDR内存可以处理的2bit数据高了一倍。

40、DDR2内存另一个改进之处在于,它采用FBGA封装方式替代了传统的TSOP方式。

41、 然而,尽管DDR2内存采用的DRAM核心速度和DDR的一样,但是我们仍然要使用新主板才能搭配DDR2内存,因为DDR2的物理规格和DDR是不兼容的。

42、首先是接口不一样,DDR2的针脚数量为240针,而DDR内存为184针;其次,DDR2内存的VDIMM电压为1.8V,也和DDR内存的2.5V不同。

43、 DDR2的定义: DDR2(Double Data Rate 2) SDRAM是由JEDEC(电子设备工程联合委员会)进行开发的新生代内存技术标准,它与上一代DDR内存技术标准最大的不同就是,虽然同是采用了在时钟的上升/下降延同时进行数据传输的基本方式,但DDR2内存却拥有两倍于上一代DDR内存预读取能力(即:4bit数据读预取)。

44、换句话说,DDR2内存每个时钟能够以4倍外部总线的速度读/写数据,并且能够以内部控制总线4倍的速度运行。

45、 此外,由于DDR2标准规定所有DDR2内存均采用FBGA封装形式,而不同于目前广泛应用的TSOP/TSOP-II封装形式,FBGA封装可以提供了更为良好的电气性能与散热性,为DDR2内存的稳定工作与未来频率的发展提供了坚实的基础。

46、回想起DDR的发展历程,从第一代应用到个人电脑的DDR200经过DDR266、DDR333到今天的双通道DDR400技术,第一代DDR的发展也走到了技术的极限,已经很难通过常规办法提高内存的工作速度;随着Intel最新处理器技术的发展,前端总线对内存带宽的要求是越来越高,拥有更高更稳定运行频率的DDR2内存将是大势所趋。

47、 DDR2与DDR的区别: 在了解DDR2内存诸多新技术前,先让我们看一组DDR和DDR2技术对比的数据。

48、 延迟问题: 从上表可以看出,在同等核心频率下,DDR2的实际工作频率是DDR的两倍。

49、这得益于DDR2内存拥有两倍于标准DDR内存的4BIT预读取能力。

50、换句话说,虽然DDR2和DDR一样,都采用了在时钟的上升延和下降延同时进行数据传输的基本方式,但DDR2拥有两倍于DDR的预读取系统命令数据的能力。

51、也就是说,在同样100MHz的工作频率下,DDR的实际频率为200MHz,而DDR2则可以达到400MHz。

52、 这样也就出现了另一个问题:在同等工作频率的DDR和DDR2内存中,后者的内存延时要慢于前者。

53、举例来说,DDR 200和DDR2-400具有相同的延迟,而后者具有高一倍的带宽。

54、实际上,DDR2-400和DDR 400具有相同的带宽,它们都是3.2GB/s,但是DDR400的核心工作频率是200MHz,而DDR2-400的核心工作频率是100MHz,也就是说DDR2-400的延迟要高于DDR400。

55、 2、封装和发热量: DDR2内存技术最大的突破点其实不在于用户们所认为的两倍于DDR的传输能力,而是在采用更低发热量、更低功耗的情况下,DDR2可以获得更快的频率提升,突破标准DDR的400MHZ限制。

56、 DDR内存通常采用TSOP芯片封装形式,这种封装形式可以很好的工作在200MHz上,当频率更高时,它过长的管脚就会产生很高的阻抗和寄生电容,这会影响它的稳定性和频率提升的难度。

57、这也就是DDR的核心频率很难突破275MHZ的原因。

58、而DDR2内存均采用FBGA封装形式。

59、不同于目前广泛应用的TSOP封装形式,FBGA封装提供了更好的电气性能与散热性,为DDR2内存的稳定工作与未来频率的发展提供了良好的保障。

60、 DDR2内存采用1.8V电压,相对于DDR标准的2.5V,降低了不少,从而提供了明显的更小的功耗与更小的发热量,这一点的变化是意义重大的。

61、 DDR2采用的新技术: 除了以上所说的区别外,DDR2还引入了三项新的技术,它们是OCD、ODT和Post CAS。

62、 OCD(Off-Chip Driver):也就是所谓的离线驱动调整,DDR II通过OCD可以提高信号的完整性。

63、DDR II通过调整上拉(pull-up)/下拉(pull-down)的电阻值使两者电压相等。

64、使用OCD通过减少DQ-DQS的倾斜来提高信号的完整性;通过控制电压来提高信号品质。

65、 ODT:ODT是内建核心的终结电阻器。

66、我们知道使用DDR SDRAM的主板上面为了防止数据线终端反射信号需要大量的终结电阻。

67、它大大增加了主板的制造成本。

68、实际上,不同的内存模组对终结电路的要求是不一样的,终结电阻的大小决定了数据线的信号比和反射率,终结电阻小则数据线信号反射低但是信噪比也较低;终结电阻高,则数据线的信噪比高,但是信号反射也会增加。

69、因此主板上的终结电阻并不能非常好的匹配内存模组,还会在一定程度上影响信号品质。

70、DDR2可以根据自己的特点内建合适的终结电阻,这样可以保证最佳的信号波形。

71、使用DDR2不但可以降低主板成本,还得到了最佳的信号品质,这是DDR不能比拟的。

72、 Post CAS:它是为了提高DDR II内存的利用效率而设定的。

73、在Post CAS操作中,CAS信号(读写/命令)能够被插到RAS信号后面的一个时钟周期,CAS命令可以在附加延迟(Additive Latency)后面保持有效。

74、原来的tRCD(RAS到CAS和延迟)被AL(Additive Latency)所取代,AL可以在0,1,2,3,4中进行设置。

75、由于CAS信号放在了RAS信号后面一个时钟周期,因此ACT和CAS信号永远也不会产生碰撞冲突。

76、 总的来说,DDR2采用了诸多的新技术,改善了DDR的诸多不足,虽然它目前有成本高、延迟慢能诸多不足,但相信随着技术的不断提高和完善,这些问题终将得到解决。

77、 DDR3与DDR2几个主要的不同之处 : 1.突发长度(Burst Length,BL) 由于DDR3的预取为8bit,所以突发传输周期(Burst Length,BL)也固定为8,而对于DDR2和早期的DDR架构系统,BL=4也是常用的,DDR3为此增加了一个4bit Burst Chop(突发突变)模式,即由一个BL=4的读取操作加上一个BL=4的写入操作来合成一个BL=8的数据突发传输,届时可通过A12地址线来控制这一突发模式。

78、而且需要指出的是,任何突发中断操作都将在DDR3内存中予以禁止,且不予支持,取而代之的是更灵活的突发传输控制(如4bit顺序突发)。

79、 2.寻址时序(Timing) 就像DDR2从DDR转变而来后延迟周期数增加一样,DDR3的CL周期也将比DDR2有所提高。

80、DDR2的CL范围一般在2~5之间,而DDR3则在5~11之间,且附加延迟(AL)的设计也有所变化。

81、DDR2时AL的范围是0~4,而DDR3时AL有三种选项,分别是0、CL-1和CL-2。

82、另外,DDR3还新增加了一个时序参数——写入延迟(CWD),这一参数将根据具体的工作频率而定。

83、 3.DDR3新增的重置(Reset)功能 重置是DDR3新增的一项重要功能,并为此专门准备了一个引脚。

84、DRAM业界很早以前就要求增加这一功能,如今终于在DDR3上实现了。

85、这一引脚将使DDR3的初始化处理变得简单。

86、当Reset命令有效时,DDR3内存将停止所有操作,并切换至最少量活动状态,以节约电力。

87、 在Reset期间,DDR3内存将关闭内在的大部分功能,所有数据接收与发送器都将关闭,所有内部的程序装置将复位,DLL(延迟锁相环路)与时钟电路将停止工作,而且不理睬数据总线上的任何动静。

88、这样一来,将使DDR3达到最节省电力的目的。

89、 4.DDR3新增ZQ校准功能 ZQ也是一个新增的脚,在这个引脚上接有一个240欧姆的低公差参考电阻。

90、这个引脚通过一个命令集,通过片上校准引擎(On-Die Calibration Engine,ODCE)来自动校验数据输出驱动器导通电阻与ODT的终结电阻值。

91、当系统发出这一指令后,将用相应的时钟周期(在加电与初始化之后用512个时钟周期,在退出自刷新操作后用256个时钟周期、在其他情况下用64个时钟周期)对导通电阻和ODT电阻进行重新校准。

92、 5.参考电压分成两个 在DDR3系统中,对于内存系统工作非常重要的参考电压信号VREF将分为两个信号,即为命令与地址信号服务的VREFCA和为数据总线服务的VREFDQ,这将有效地提高系统数据总线的信噪等级。

93、 6.点对点连接(Point-to-Point,P2P) 这是为了提高系统性能而进行的重要改动,也是DDR3与DDR2的一个关键区别。

94、在DDR3系统中,一个内存控制器只与一个内存通道打交道,而且这个内存通道只能有一个插槽,因此,内存控制器与DDR3内存模组之间是点对点(P2P)的关系(单物理Bank的模组),或者是点对双点(Point-to-two-Point,P22P)的关系(双物理Bank的模组),从而大大地减轻了地址/命令/控制与数据总线的负载。

95、而在内存模组方面,与DDR2的类别相类似,也有标准DIMM(台式PC)、SO-DIMM/Micro-DIMM(笔记本电脑)、FB-DIMM2(服务器)之分,其中第二代FB-DIMM将采用规格更高的AMB2(高级内存缓冲器)。

96、 面向64位构架的DDR3显然在频率和速度上拥有更多的优势,此外,由于DDR3所采用的根据温度自动自刷新、局部自刷新等其它一些功能,在功耗方面DDR3也要出色得多,因此,它可能首先受到移动设备的欢迎,就像最先迎接DDR2内存的不是台式机而是服务器一样。

97、在CPU外频提升最迅速的PC台式机领域,DDR3未来也是一片光明。

98、目前Intel预计在明年第二季所推出的新芯片-熊湖(Bear Lake),其将支持DDR3规格,而AMD也预计同时在K9平台上支持DDR2及DDR3两种规格。

99、 内存异步工作模式包含多种意义,在广义上凡是内存工作频率与CPU的外频不一致时都可以称为内存异步工作模式。

100、首先,最早的内存异步工作模式出现在早期的主板芯片组中,可以使内存工作在比CPU外频高33MHz或者低33MHz的模式下(注意只是简单相差33MHz),从而可以提高系统内存性能或者使老内存继续发挥余热。

101、其次,在正常的工作模式(CPU不超频)下,目前不少主板芯片组也支持内存异步工作模式,例如Intel 910GL芯片组,仅仅只支持533MHz FSB即133MHz的CPU外频,但却可以搭配工作频率为133MHz的DDR 266、工作频率为166MHz的DDR 333和工作频率为200MHz的DDR 400正常工作(注意此时其CPU外频133MHz与DDR 400的工作频率200MHz已经相差66MHz了),只不过搭配不同的内存其性能有差异罢了。

102、再次,在CPU超频的情况下,为了不使内存拖CPU超频能力的后腿,此时可以调低内存的工作频率以便于超频,例如AMD的Socket 939接口的Opteron 144非常容易超频,不少产品的外频都可以轻松超上300MHz,而此如果在内存同步的工作模式下,此时内存的等效频率将高达DDR 600,这显然是不可能的,为了顺利超上300MHz外频,我们可以在超频前在主板BIOS中把内存设置为DDR 333或DDR 266,在超上300MHz外频之后,前者也不过才DDR 500(某些极品内存可以达到),而后者更是只有DDR 400(完全是正常的标准频率),由此可见,正确设置内存异步模式有助于超频成功。

103、 目前的主板芯片组几乎都支持内存异步,英特尔公司从810系列到目前较新的875系列都支持,而威盛公司则从693芯片组以后全部都提供了此功能。

本文分享完毕,希望对大家有所帮助。

标签:

免责声明:本文由用户上传,如有侵权请联系删除!