导读 在最近的一项发展中，三星设定了一个目标，即在今年 6 月之前完成 11nm、第 6 代 1c DRAM 芯片的开发。根据BusinessKorea的一份报
在最近的一项发展中，三星设定了一个目标，即在今年 6 月之前完成 11nm、第 6 代 1c DRAM 芯片的开发。根据BusinessKorea的一份报告，据报道，该公司已要求其研究人员停止或跳过 1b DRAM 的开发，这是一种 12nm 芯片组。
据信，三星希望扩大与竞争对手的技术差距，包括 SK 海力士和美光科技。此外，这不是三星第一次放弃DRAM开发阶段以提升到更高的水平。此前，它放弃了28nm DRAM的量产，专注于生产25nm DRAM。
业内专家认为，三星生产 11nm DRAM 并非易事，因为它需要先进的技术。然而，据BusinessKorea称，三星希望找到一种方法来实现这一目标，因为它在完成 1c DRAM 之前面临着巨大的压力，因为它在 1a DRAM 的量产方面落后于其两个竞争对手 。
更新：三星与我们联系并澄清Business Korea的报道实际上是不准确的，并且已被修改。
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