三极管和mos管做开关的区别(三极管与MOS管有什么区别)

韦琰菁
导读 大家好,乐天来为大家解答以下的问题,关于三极管和mos管做开关的区别,三极管与MOS管有什么区别这个很多人还不知道,现在让我们一起来看看吧

大家好,乐天来为大家解答以下的问题,关于三极管和mos管做开关的区别,三极管与MOS管有什么区别这个很多人还不知道,现在让我们一起来看看吧!

1、工作性质:三极管用电流控制,MOS管属于电压控制,2、成本问题:三极管便宜,mos管贵。

2、3、功耗问题:三极管损耗大。

3、4、驱动能力:mos管常用来电源开关,以及大电流地方开关电路。

4、实际上就是三极管比较便宜,用起来方便,常用在数字电路开关控制。

5、MOS管用于高频高速电路,大电流场合,以及对基极或漏极控制电流比较敏感的地方。

6、一般来说低成本场合,普通应用的先考虑用三极管,不行的话考虑MOS管实际上说电流控制慢,电压控制快这种理解是不对的。

7、要真正理解得了解双极晶体管和mos晶体管的工作方式才能明白。

8、三极管是靠载流子的运动来工作的,以npn管射极跟随器为例,当基极加不加电压时,基区和发射区组成的pn结为阻止多子(基区为空穴,发射区为电子)的扩散运动,在此pn结处会感应出由发射区指向基区的静电场(即内建电场),当基极外加正电压的指向为基区指向发射区,当基极外加电压产生的电场大于内建电场时,基区的载流子(电子)才有可能从基区流向发射区,此电压的最小值即pn结的正向导通电压(工程上一般认为0.7v)。

9、但此时每个pn结的两侧都会有电荷存在,此时如果集电极-发射极加正电压,在电场作用下,发射区的电子往基区运动(实际上都是电子的反方向运动),由于基区宽度很小,电子很容易越过基区到达集电区,并与此处的PN的空穴复合(靠近集电极),为维持平衡,在正电场的作用下集电区的电子加速外集电极运动,而空穴则为pn结处运动,此过程类似一个雪崩过程。

10、集电极的电子通过电源回到发射极,这就是晶体管的工作原理。

11、三极管工作时,两个pn结都会感应出电荷,当做开关管处于导通状态时,三极管处于饱和状态,如果这时三极管截至,pn结感应的电荷要恢复到平衡状态,这个过程需要时间。

12、而mos三极管工作方式不同,没有这个恢复时间,因此可以用作高速开关管。

13、实际上说电流控制慢,电压控制快这种理解是不对的。

14、要真正理解得了解双极晶体管和mos晶体管的工作方式才能明白。

15、三极管是靠载流子的运动来工作的,以npn管射极跟随器为例,当基极加不加电压时,基区和发射区组成的pn结为阻止多子(基区为空穴,发射区为电子)的扩散运动,在此pn结处会感应出由发射区指向基区的静电场(即内建电场),当基极外加正电压的指向为基区指向发射区,当基极外加电压产生的电场大于内建电场时,基区的载流子(电子)才有可能从基区流向发射区,此电压的最小值即pn结的正向导通电压(工程上一般认为0.7v)。

16、但此时每个pn结的两侧都会有电荷存在,此时如果集电极-发射极加正电压,在电场作用下,发射区的电子往基区运动(实际上都是电子的反方向运动),由于基区宽度很小,电子很容易越过基区到达集电区,并与此处的PN的空穴复合(靠近集电极),为维持平衡,在正电场的作用下集电区的电子加速外集电极运动,而空穴则为pn结处运动,此过程类似一个雪崩过程。

17、集电极的电子通过电源回到发射极,这就是晶体管的工作原理。

18、三极管工作时,两个pn结都会感应出电荷,当做开关管处于导通状态时,三极管处于饱和状态,如果这时三极管截至,pn结感应的电荷要恢复到平衡状态,这个过程需要时间。

19、而mos三极管工作方式不同,没有这个恢复时间,因此可以用作高速开关管。

本文分享完毕,希望对大家有所帮助。

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