pmos工艺结构（pmos工作原理）

大家好,乐天来为大家解答以下的问题，关于pmos工艺结构，pmos工作原理这个很多人还不知道,现在让我们一起来看看吧！

1、PMOS的工作原理与NMOS相类似。

2、因为PMOS是N型硅衬底，其中的多数载流子是电子，少数载流子是空穴，源漏区的掺杂类型是P型，所以，PMOS的工作条件是在栅上相对于源极施加负电压，亦即在PMOS的栅上施加的是负电荷电子，而在衬底感应的是可运动的正电荷空穴和带固定正电荷的耗尽层，不考虑二氧化硅中存在的电荷的影响，衬底中感应的正电荷数量就等于PMOS栅上的负电荷的数量。

3、当达到强反型时，在相对于源端为负的漏源电压的作用下，源端的正电荷空穴经过导通的P型沟道到达漏端，形成从源到漏的源漏电流。

4、同样地，VGS越负(绝对值越大)，沟道的导通电阻越小，电流的数值越大。

本文分享完毕，希望对大家有所帮助。

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