高通骁龙8Gen4将采用台积电N3E工艺制造

澹台群之
导读 随着Snapdragon 8 Gen 3 将于10 月推出,有关高通明年旗舰产品的传言已经开始流传。Snapdragon 8 Gen 4 SoC 预计将于 2024 年...

随着Snapdragon 8 Gen 3 将于10 月推出,有关高通明年旗舰产品的传言已经开始流传。Snapdragon 8 Gen 4 SoC 预计将于 2024 年底推出。虽然距离我们还有几个月的时间,但一位知名泄密者透露该芯片组将基于台积电的新 3nm 工艺节点。据传该芯片还包含 Nuvia 的 Phoenix 核心。以下是详细信息。

Digital Chat Station透露了有关即将推出的 Snapdragon 8 Gen 4 SoC 的关键细节。据爆料者称,该芯片组将有两个 Phoenix 核心和六个 Phoenix M 核心。对于那些不熟悉的人来说,Phoenix核心是Nuvia设计的新一代基于ARM的CPU核心。然而,该公司已将其技术授权给高通,因此这些内核可能会被赋予不同的名称。

该爆料者还声称,Snapdragon 8 Gen 4 将采用台积电的 N3E 工艺制造。这是台积电3nm工艺节点的第二次迭代,据说可以提供更好的良率,这意味着将正确生产更多芯片,从而降低生产成本。据传苹果的 A17 芯片也将由台积电采用 3nm 工艺制造,但采用的是第一代 N3 工艺。

即将推出的Snapdragon 8 Gen 3芯片仍然基于4nm工艺,但据称可以在不牺牲效率的情况下大幅提升性能。另一方面,Snapdragon 8 Gen 4 也有望实现显着的性能飞跃。

我们尚不知道哪些手机将采用新芯片组,但三星、Oppo和小米可能是候选者。这些公司倾向于在其旗舰产品中使用最新的高通芯片。

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