雪崩击穿和齐纳击穿的联系(雪崩击穿和齐纳击穿)

舒姣功
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1、一、性质不同雪崩击穿:新产生的载流子在电场作用下撞出其他价电子,产生新的自由电子和空穴对。

2、由于这种连锁反应,势垒层中载流子的数量急剧增加,流过PN结的电流急剧增加。

3、这种碰撞电离导致的击穿称为雪崩击穿。

4、2、齐纳击穿:由场致激发而产生大量的载流子,使PN结的反向电流剧增,呈现反向击穿现象。

5、二、特点不同雪崩击穿特点:材料掺杂浓度较低的PN结中,空间电荷区的电场随PN结反向电压的增大而增大。

6、这样,通过空间电荷区的电子和空穴,获得的能量在电场作用下增加。

7、2、齐纳击穿特点:齐纳或隧道击穿主要取决于空间电荷区中的最大电场,在碰撞电离机理中,不仅与场强有关,而且与载流子碰撞的累积过程有关。

8、显然,空间电荷区域越宽,它的倍数就越大。

9、因此,雪崩击穿不仅与电场有关,还与空间电荷区的宽度有关。

10、它要求结厚。

11、而隧道效应要求结薄。

12、扩展资料:齐纳击穿常发生在掺杂浓度比较高的PN结中,因为此时的空间电荷层很薄,一个非常小的反向电压可以在空间电荷区产生一个强电场(通常高达10⁸v/cm)。

13、当温度升高时,电子的热运动增加,价电子可以通过较小的反向电压从共价键中拉出。

14、因此,当温度升高时,击穿电压降低,即齐纳击穿具有负的温度系数。

15、参考资料来源:百度百科-雪崩击穿参考资料来源:百度百科-齐纳击穿。

本文分享完毕,希望对大家有所帮助。

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